阴极发光设备(SEM-CL)在GaN功率电子方面的应用

来源:个人图书馆-科研仪器设备馆 时间:2023-08-18 02:35:58


【资料图】

图二:在同一植入样品上获得SIMS剖面。CL检测到的缺陷区域深度与SIMS剖面检测到的深度相匹配。

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